BS107G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BS107G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Especificaciones:	BS107G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4872 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4872 pcs

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Especificaciones de BS107G

Número de pieza	BS107G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4872 pcs	Ficha de datos	BS107G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-92-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	14 Ohm @ 200mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	350mW (Ta)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Otros nombres	BS107G-ND BS107GOS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V	Descripción detallada	N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)

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