BS107ARL1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	BS107ARL1
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Especificaciones:	BS107ARL1.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	4894 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4894 pcs

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Especificaciones de BS107ARL1

Número de pieza	BS107ARL1	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	4894 pcs	Ficha de datos	BS107ARL1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-92-3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	6.4 Ohm @ 250mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	350mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)

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Después de las ventas
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