2V7002LT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	2V7002LT3G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V .115A
Especificaciones:	2V7002LT3G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	316003 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 316003 pcs

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Especificaciones de 2V7002LT3G

Número de pieza	2V7002LT3G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V .115A	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	316003 pcs	Ficha de datos	2V7002LT3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	225mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	2V7002LT3GOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	115mA (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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