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SQ4917EY-T1_GE3

Vishay SiliconixVishay Siliconix
Vishay Siliconix
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Descripción del producto

Número de pieza: SQ4917EY-T1_GE3
Fabricante / Marca: Vishay / Siliconix
Descripción del producto MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
Especificaciones: SQ4917EY-T1_GE3.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 114462 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 114462 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
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Especificaciones de SQ4917EY-T1_GE3

Número de pieza SQ4917EY-T1_GE3 Fabricante Vishay Siliconix
Descripción MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 114462 pcs Ficha de datos SQ4917EY-T1_GE3.pdf
Voltaje - Prueba 1910pF @ 30V Tensión - Desglose 8-SO
VGS (th) (Max) @Id 48 mOhm @ 4.3A, 10V Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado RoHS Tape & Reel (TR) RDS (Max) @Id, Vgs 8A (Tc)
Potencia - Max 5W (Tc) Polarización 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres SQ4917EY-T1_GE3TR Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante SQ4917EY-T1_GE3 Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 65nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2.5V @ 250µA Característica de FET 2 P-Channel (Dual)
Descripción ampliada Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las Standard
Descripción MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 60V

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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