SIHF22N60E-GE3

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHF22N60E-GE3
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Especificaciones:	SIHF22N60E-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	21431 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21431 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.461

10 pcs: $1.311

25 pcs: $1.239

100 pcs: $1.074

250 pcs: $1.019

500 pcs: $0.914

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Especificaciones de SIHF22N60E-GE3

Número de pieza	SIHF22N60E-GE3	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 600V 21A TO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	21431 pcs	Ficha de datos	SIHF22N60E-GE3.pdf
Voltaje - Prueba	1920pF @ 100V	VGS (th) (Max) @Id	180 mOhm @ 11A, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	E
Estado RoHS	Digi-Reel®	RDS (Max) @Id, Vgs	21A (Tc)
Polarización	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	SIHF22N60E-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	SIHF22N60E-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	86nC @ 10V	Tipo de IGBT	±30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 600V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 600V 21A TO220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	600V
relación de capacidades	35W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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