IRFIBF30GPBF

Vishay Siliconix

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRFIBF30GPBF
Fabricante / Marca:	Vishay / Siliconix
Descripción del producto	MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Especificaciones:	IRFIBF30GPBF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	28505 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28505 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.271

10 pcs: $1.141

25 pcs: $1.079

100 pcs: $0.935

250 pcs: $0.887

500 pcs: $0.796

1000 pcs: $0.671

2500 pcs: $0.638

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Especificaciones de IRFIBF30GPBF

Número de pieza	IRFIBF30GPBF	Fabricante	Vishay Siliconix
Descripción	MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	28505 pcs	Ficha de datos	IRFIBF30GPBF.pdf
Voltaje - Prueba	1200pF @ 25V	Tensión - Desglose	TO-220-3
VGS (th) (Max) @Id	3.7 Ohm @ 1.1A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Estado RoHS	Tube	RDS (Max) @Id, Vgs	1.9A (Tc)
Polarización	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Otros nombres	*IRFIBF30GPBF
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	IRFIBF30GPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	78nC @ 10V	Tipo de IGBT	±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	900V
relación de capacidades	35W (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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