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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | TPN30008NH,LQ | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 247320 pcs | Ficha de datos | TPN30008NH,LQ.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie | U-MOSVIII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta), 27W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Otros nombres | TPN30008NH,LQ(S TPN30008NHLQ TPN30008NHLQTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 40V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción detallada | N-Channel 80V 9.6A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Tc) |
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|---|---|---|
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