TPH11006NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TPH11006NL,LQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Especificaciones:	TPH11006NL,LQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	112992 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 112992 pcs

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1 pcs: $0.309

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Especificaciones de TPH11006NL,LQ

Número de pieza	TPH11006NL,LQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	112992 pcs	Ficha de datos	TPH11006NL,LQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOP Advance (5x5)
Serie	U-MOSVIII-H	RDS (Max) @Id, Vgs	11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta), 34W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	TPH11006NLLQCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 17A (Tc) 1.6W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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