TPCF8B01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Especificaciones:	1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf 2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3066 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3066 pcs

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Especificaciones de TPCF8B01(TE85L,F,M

Número de pieza	TPCF8B01(TE85L,F,M	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3066 pcs	Ficha de datos	1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf 2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
Voltaje - Prueba	470pF @ 10V	Tensión - Desglose	VS-8 (2.9x1.9)
VGS (th) (Max) @Id	110 mOhm @ 1.4A, 4.5V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSIII	Estado RoHS	Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs	2.7A (Ta)	Polarización	8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	TPCF8B01(TE85L,F,M
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6nC @ 5V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.2V @ 200µA
Característica de FET	P-Channel	Descripción ampliada	P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	Schottky Diode (Isolated)	Descripción	MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20V	relación de capacidades	330mW (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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