TK7A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK7A65W,S5X
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
Especificaciones:	TK7A65W,S5X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	53074 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53074 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.674

50 pcs: $0.543

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Especificaciones de TK7A65W,S5X

Número de pieza	TK7A65W,S5X	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	53074 pcs	Ficha de datos	TK7A65W,S5X.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SIS
Serie	DTMOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	780 mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	TK7A65W,S5X(M TK7A65WS5X
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 300V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 6.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A (Ta)

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