TK6P53D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK6P53D(T6RSS-Q)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
Especificaciones:	TK6P53D(T6RSS-Q).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	114356 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 114356 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de TK6P53D(T6RSS-Q)

Número de pieza	TK6P53D(T6RSS-Q)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	114356 pcs	Ficha de datos	TK6P53D(T6RSS-Q).pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-Pak
Serie	π-MOSVII	RDS (Max) @Id, Vgs	1.3 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	TK6P53DT6RSSQ
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	525V
Descripción detallada	N-Channel 525V 6A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount D-Pak	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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