TK65G10N1,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK65G10N1,RQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Especificaciones:	TK65G10N1,RQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	68068 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68068 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $0.525

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Especificaciones de TK65G10N1,RQ

Número de pieza	TK65G10N1,RQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	68068 pcs	Ficha de datos	TK65G10N1,RQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D2PAK
Serie	U-MOSVIII-H	RDS (Max) @Id, Vgs	4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	156W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	TK65G10N1,RQ(S TK65G10N1RQTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	81nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 65A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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