TK5P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK5P60W,RVQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Especificaciones:	TK5P60W,RVQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	51218 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51218 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de TK5P60W,RVQ

Número de pieza	TK5P60W,RVQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	51218 pcs	Ficha de datos	TK5P60W,RVQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.7V @ 270µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	DTMOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	900 mOhm @ 2.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	60W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	TK5P60WRVQCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 300V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.4A (Ta)

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