Número de pieza | TK31N60W5,S1VF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descripción | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 12577 pcs | Ficha de datos | TK31N60W5,S1VF.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 1.5mA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-247 |
Serie | DTMOSIV | RDS (Max) @Id, Vgs | 99 mOhm @ 15.4A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 230W (Tc) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-247-3 | Otros nombres | TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF-ND TK31N60W5S1VF |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
Descripción detallada | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
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