TK160F10N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK160F10N1L,LQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Especificaciones:	TK160F10N1L,LQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	58152 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58152 pcs

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Especificaciones de TK160F10N1L,LQ

Número de pieza	TK160F10N1L,LQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	58152 pcs	Ficha de datos	TK160F10N1L,LQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SM(W)
Serie	U-MOSVIII-H	RDS (Max) @Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)	375W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres	TK160F10N1LLQ	Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	122nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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