TK12A50E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK12A50E,S4X
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V TO220SIS
Especificaciones:	TK12A50E,S4X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	38136 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38136 pcs

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1 pcs: $0.797

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Especificaciones de TK12A50E,S4X

Número de pieza	TK12A50E,S4X	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 500V TO220SIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	38136 pcs	Ficha de datos	TK12A50E,S4X.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1.2mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SIS
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	520 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	45W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	TK12A50E,S4X(S TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X(M TK12A50ES4X TK12A50ES4X(S TK12A50ES4X(S-ND TK12A50ES5X TK12A50ES5X-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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