SSM6N7002BFE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6N7002BFE,LM
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Especificaciones:	1.SSM6N7002BFE,LM.pdf 2.SSM6N7002BFE,LM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1685082 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1685082 pcs

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Especificaciones de SSM6N7002BFE,LM

Número de pieza	SSM6N7002BFE,LM	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1685082 pcs	Ficha de datos	1.SSM6N7002BFE,LM.pdf 2.SSM6N7002BFE,LM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.1V @ 250µA	Paquete del dispositivo	ES6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Potencia - Max	150mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	SSM6N7002BFE,LM(B SSM6N7002BFE,LM(T SSM6N7002BFELMTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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