SSM6N55NU,LF(T

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6N55NU,LF(T
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Especificaciones:	SSM6N55NU,LF(T.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	677699 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 677699 pcs

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Especificaciones de SSM6N55NU,LF(T

Número de pieza	SSM6N55NU,LF(T	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	677699 pcs	Ficha de datos	SSM6N55NU,LF(T.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 100µA	Paquete del dispositivo	6-µDFN(2x2)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	46 mOhm @ 4A, 10V
Potencia - Max	1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-WDFN Exposed Pad	Otros nombres	SSM6N55NU,LF SSM6N55NU,LF(B SSM6N55NULF SSM6N55NULF(TTR SSM6N55NULFTR SSM6N55NULFTR-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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