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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM6J505NU,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 432130 pcs | Ficha de datos | SSM6J505NU,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±6V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie | U-MOSVI | RDS (Max) @Id, Vgs | 12 mOhm @ 4A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.25W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-WDFN Exposed Pad | Otros nombres | SSM6J505NU,LF(B SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NULF SSM6J505NULFTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 37.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
| Descripción detallada | P-Channel 12V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
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|---|---|---|
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