SSM6J215FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM6J215FE(TE85L,F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Especificaciones:	SSM6J215FE(TE85L,F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	224436 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 224436 pcs

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Especificaciones de SSM6J215FE(TE85L,F

Número de pieza	SSM6J215FE(TE85L,F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET P CH 20V 3.4A ES6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	224436 pcs	Ficha de datos	SSM6J215FE(TE85L,F.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ES6
Serie	U-MOSVI	RDS (Max) @Id, Vgs	59 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	SSM6J215FE(TE85LFCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10.4nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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