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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM4K27CTTPL3 | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V .5A CST4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5710 pcs | Ficha de datos | 1.SSM4K27CTTPL3.pdf2.SSM4K27CTTPL3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | CST4 (1.2x0.8) |
| Serie | U-MOSIII | RDS (Max) @Id, Vgs | 205 mOhm @ 250mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo) | 400mW (Ta) | embalaje | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta | 4-SMD, No Lead | Otros nombres | SSM4K27CT(TPL3)DKR SSM4K27CT(TPL3)DKR-ND SSM4K27CTTPL3DKR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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