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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM3K335R,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 144761 pcs | Ficha de datos | SSM3K335R,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-23F |
| Serie | U-MOSVII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 38 mOhm @ 4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1W (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-3 Flat Leads | Otros nombres | SSM3K335RLF(TCT SSM3K335RLF(TCT-ND SSM3K335RLFCT |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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