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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM3J35MFV,L3F | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2566803 pcs | Ficha de datos | SSM3J35MFV,L3F.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | - | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | VESM | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8 Ohm @ 50mA, 4V | La disipación de energía (máximo) | 150mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-723 |
| Otros nombres | SSM3J35MFV(TL3,T) SSM3J35MFV(TL3T)TR SSM3J35MFV(TL3T)TR-ND SSM3J35MFV,L3F(B SSM3J35MFV,L3F(T SSM3J35MFVL3F SSM3J35MFVL3F(B SSM3J35MFVL3F(T SSM3J35MFVL3FTR SSM3J35MFVTL3T |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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