| Número de pieza | SSM3J338R,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 849381 pcs | Ficha de datos | SSM3J338R,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-23F |
| Serie | U-MOSVII | RDS (Max) @Id, Vgs | 17.6 mOhm @ 6A, 8V |
| La disipación de energía (máximo) | 1W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-3 Flat Leads | Otros nombres | SSM3J338R,LF(B SSM3J338R,LF(T SSM3J338RLFTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
| Descripción detallada | P-Channel 12V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
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