SSM3J114TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM3J114TU(TE85L)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Especificaciones:	1.SSM3J114TU(TE85L).pdf 2.SSM3J114TU(TE85L).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	145511 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 145511 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de SSM3J114TU(TE85L)

Número de pieza	SSM3J114TU(TE85L)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	145511 pcs	Ficha de datos	1.SSM3J114TU(TE85L).pdf 2.SSM3J114TU(TE85L).pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	UFM
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	149 mOhm @ 600mA, 4V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	3-SMD, Flat Leads	Otros nombres	SSM3J114TU(TE85L)CT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	331pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.7nC @ 4V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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