RN4987FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN4987FE,LF(CB
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Especificaciones:	RN4987FE,LF(CB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	278810 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 278810 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.105

10 pcs: $0.095

25 pcs: $0.068

100 pcs: $0.053

250 pcs: $0.033

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Especificaciones de RN4987FE,LF(CB

Número de pieza	RN4987FE,LF(CB	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	278810 pcs	Ficha de datos	RN4987FE,LF(CB.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Paquete del dispositivo	ES6
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potencia - Max	100mW
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666
Otros nombres	RN4987FE(T5LFT)CT RN4987FE(T5LFT)CT-ND RN4987FELF(CBCT RN4987FELF(CTCT RN4987FELF(CTCT-ND	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	250MHz, 200MHz	Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Corriente - corte del colector (Max)	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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