| Número de pieza | RN4904FE,LF(CB | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2220145 pcs | Ficha de datos | RN4904FE,LF(CB.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | ES6 |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms | Potencia - Max | 100mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RN4904FE(T5L,F,T) RN4904FE(T5LFT)TR RN4904FE(T5LFT)TR-ND RN4904FE,LF(CT RN4904FELF(CBTR RN4904FELF(CTTR RN4904FELF(CTTR-ND |
Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | 250MHz, 200MHz | Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
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