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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | RN2910FE,LF(CB | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3753510 pcs | Ficha de datos | RN2910FE,LF(CB.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | ES6 |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | - |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Potencia - Max | 100mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | 200MHz | Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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