RN2412TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN2412TE85LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Especificaciones:	RN2412TE85LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1859646 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1859646 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.019

6000 pcs: $0.016

15000 pcs: $0.014

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Especificaciones de RN2412TE85LF

Número de pieza	RN2412TE85LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1859646 pcs	Ficha de datos	RN2412TE85LF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	S-Mini
Serie	-	Resistor - Base (R1)	22 kOhms
Potencia - Max	200mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	RN2412(TE85L,F) RN2412TE85LF-ND RN2412TE85LFTR
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	200MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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