RN2103MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN2103MFV,L3F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Especificaciones:	RN2103MFV,L3F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3071 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3071 pcs

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Especificaciones de RN2103MFV,L3F

Número de pieza	RN2103MFV,L3F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3071 pcs	Ficha de datos	RN2103MFV,L3F.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	VESM
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	22 kOhms
Resistor - Base (R1)	22 kOhms	Potencia - Max	150mW
Paquete / Cubierta	SOT-723	Otros nombres	RN2103MFVL3F
Tipo de montaje	Surface Mount	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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