RN2101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN2101ACT(TPL3)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Especificaciones:	RN2101ACT(TPL3).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3105 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3105 pcs

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Especificaciones de RN2101ACT(TPL3)

Número de pieza	RN2101ACT(TPL3)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3105 pcs	Ficha de datos	RN2101ACT(TPL3).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	CST3
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potencia - Max	100mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SC-101, SOT-883
Otros nombres	RN2101ACT(TPL3)TR	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	500nA	Corriente - colector (Ic) (Max)	80mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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