RN1413(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN1413(TE85L,F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
Especificaciones:	RN1413(TE85L,F).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3211919 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3211919 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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6000 pcs: $0.009

15000 pcs: $0.008

30000 pcs: $0.007

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Especificaciones de RN1413(TE85L,F)

Número de pieza	RN1413(TE85L,F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3211919 pcs	Ficha de datos	RN1413(TE85L,F).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	S-Mini
Serie	-	Resistor - Base (R1)	47 kOhms
Potencia - Max	200mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	RN1413(TE85LF)TR RN1413TE85,F RN1413TE85F RN1413TE85F-ND RN1413TE85FTR RN1413TE85FTR-ND
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	250MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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