30JL2C41(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	30JL2C41(F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Especificaciones:	30JL2C41(F).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5765 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5765 pcs

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Especificaciones de 30JL2C41(F)

Número de pieza	30JL2C41(F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5765 pcs	Ficha de datos	30JL2C41(F).pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	2V @ 15A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V
Paquete del dispositivo	TO-3P(N)	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	50ns
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento - Junction	-40°C ~ 150°C	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	configuración de diodo	1 Pair Common Cathode
Descripción detallada	Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3	Corriente - Fuga inversa a Vr	50µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	15A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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