2SK3566(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	2SK3566(STA4,Q,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
Especificaciones:	1.2SK3566(STA4,Q,M).pdf 2.2SK3566(STA4,Q,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6678 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6678 pcs

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Especificaciones de 2SK3566(STA4,Q,M)

Número de pieza	2SK3566(STA4,Q,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6678 pcs	Ficha de datos	1.2SK3566(STA4,Q,M).pdf 2.2SK3566(STA4,Q,M).pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SIS
Serie	π-MOSIV	RDS (Max) @Id, Vgs	6.4 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	2SK3566(Q) 2SK3566(STA4QM) 2SK3566Q 2SK3566Q-ND 2SK3566STA4QM
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	900V
Descripción detallada	N-Channel 900V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

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