2SC4793(F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	2SC4793(F,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
Especificaciones:	2SC4793(F,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5648 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5648 pcs

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Especificaciones de 2SC4793(F,M)

Número de pieza	2SC4793(F,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS NPN 230V 1A TO220NIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5648 pcs	Ficha de datos	2SC4793(F,M).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	230V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	TO-220NIS
Serie	-	Potencia - Max	2W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack
Otros nombres	2SC4793(F,M)-ND 2SC4793(Q) 2SC4793F,M-ND 2SC4793FM 2SC4793Q 2SC4793Q-ND	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	100MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 1A 100MHz 2W Through Hole TO-220NIS	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	1µA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	1A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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