1SS413,L3M

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	1SS413,L3M
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC
Especificaciones:	1SS413,L3M.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2745686 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2745686 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

10000 pcs: $0.013

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Especificaciones de 1SS413,L3M

Número de pieza	1SS413,L3M	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2745686 pcs	Ficha de datos	1SS413,L3M.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	550mV @ 50mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	20V
Paquete del dispositivo	fSC	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	2-SMD, Flat Lead	Otros nombres	1SS413 (TL3,T) 1SS413(TL3,T) 1SS413(TL3T)TR 1SS413(TL3T)TR-ND 1SS413,L3F 1SS413,L3F(B 1SS413,L3M(B 1SS413,L3M(T 1SS413L3FTR-ND 1SS413L3MTR 1SS413TL3T
Temperatura de funcionamiento - Junction	125°C (Max)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Schottky	Descripción detallada	Diode Schottky 20V 50mA Surface Mount fSC
Corriente - Fuga inversa a Vr	500nA @ 20V	Corriente - rectificada media (Io)	50mA
Capacitancia Vr, F	3.9pF @ 0V, 1MHz

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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