| Número de pieza | 1SS387,L3F | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2513417 pcs | Ficha de datos | 1SS387,L3F.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.2V @ 100mA | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 80V |
| Paquete del dispositivo | ESC | Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SC-79, SOD-523 |
| Otros nombres | 1SS387(TL3,F,D) 1SS387(TL3FD)TR 1SS387(TL3FD)TR-ND 1SS387,L3F(B 1SS387,L3F(T 1SS387L3FTR 1SS387TL3FD |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 80V 100mA Surface Mount ESC | Corriente - Fuga inversa a Vr | 500nA @ 80V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 100mA | Capacitancia Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Número de pieza base | 1SS387 |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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