Toshiba Memory America, Inc.| Número de pieza | TH58BVG2S3HTA00 | Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 14600 pcs | Ficha de datos | TH58BVG2S3HTA00.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns | Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) | Paquete del dispositivo | 48-TSOP I |
| Serie | Benand™ | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | Otros nombres | TH58BVG2S3HTA00B4H TH58BVG2S3HTA00YCJ TH58BVG2S3HTA00YCL |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | FLASH | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I | Tiempo de acceso | 25ns |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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