Toshiba Memory America, Inc.| Número de pieza | TC58NVG2S0HBAI4 | Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 17966 pcs | Ficha de datos | TC58NVG2S0HBAI4.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns | Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) | Paquete del dispositivo | 63-TFBGA (9x11) |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 63-VFBGA | Otros nombres | TC58NVG2S0HBAI4JDH TC58NVG2S0HBAI4YCL TC58NVG2S0HBIAJDH |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | FLASH | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11) | Tiempo de acceso | 25ns |
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|---|---|---|
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