TSM4N60ECH C5G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM4N60ECH C5G
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Especificaciones:	TSM4N60ECH C5G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	84947 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84947 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.362

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Especificaciones de TSM4N60ECH C5G

Número de pieza	TSM4N60ECH C5G	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	84947 pcs	Ficha de datos	TSM4N60ECH C5G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-251 (IPAK)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	86.2W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Otros nombres	TSM4N60ECH C5G-ND TSM4N60ECHC5G
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	545pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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