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TSC (Taiwan Semiconductor)
| Número de pieza | TSM35N10CP ROG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 97317 pcs | Ficha de datos | TSM35N10CP ROG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 37 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 83.3W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | TSM35N10CP ROGCT TSM35N10CP ROGCT-ND TSM35N10CPROGCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1598pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 32A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
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|---|---|---|
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