| Número de pieza | TSM250N02DCQ RFG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 592283 pcs | Ficha de datos | TSM250N02DCQ RFG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 800mV @ 250µA | Paquete del dispositivo | 6-TDFN (2x2) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potencia - Max | 620mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-VDFN Exposed Pad | Otros nombres | TSM250N02DCQ RFGTR TSM250N02DCQ RFGTR-ND TSM250N02DCQRFGTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 775pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) |
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|---|---|---|
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