TSM110NB04LCR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM110NB04LCR RLG
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Especificaciones:	TSM110NB04LCR RLG.pdf
Condición de stock	103873 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 103873 pcs

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Especificaciones de TSM110NB04LCR RLG

Número de pieza	TSM110NB04LCR RLG	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	103873 pcs	Ficha de datos	TSM110NB04LCR RLG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PDFN (5x6)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 68W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerLDFN	Otros nombres	TSM110NB04LCRRLGCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1269pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	N-Channel 40V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 54A (Tc)

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