| Número de pieza | TPAR3J S1G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 327826 pcs | Ficha de datos | TPAR3J S1G.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.55V @ 3A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V |
| Paquete del dispositivo | TO-277A (SMPC) | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 120ns |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-277, 3-PowerDFN |
| Otros nombres | TPAR3J S1GTR TPAR3J S1GTR-ND TPAR3JS1GTR |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Avalanche |
| Descripción detallada | Diode Avalanche 600V 3A Surface Mount TO-277A (SMPC) | Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 3A | Capacitancia Vr, F | 58pF @ 4V, 1MHz |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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