Número de pieza | RS1GL R3G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
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Descripción | DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 1244829 pcs | Ficha de datos | 1.RS1GL R3G.pdf2.RS1GL R3G.pdf |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.3V @ 800mA | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 400V |
Paquete del dispositivo | Sub SMA | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 150ns |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | DO-219AB |
Otros nombres | RS1GL R3GTR RS1GL R3GTR-ND RS1GLR3GTR |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
Descripción detallada | Diode Standard 400V 800mA Surface Mount Sub SMA | Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 400V |
Corriente - rectificada media (Io) | 800mA | Capacitancia Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
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