STW70N60DM2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STW70N60DM2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 66A
Especificaciones:	STW70N60DM2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6563 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6563 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $4.443

30 pcs: $3.736

120 pcs: $3.433

510 pcs: $2.928

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Especificaciones de STW70N60DM2

Número de pieza	STW70N60DM2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 66A	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6563 pcs	Ficha de datos	STW70N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	MDmesh™ DM2	RDS (Max) @Id, Vgs	42 mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo)	446W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	497-16345-5
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5508pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	121nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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