STW11NB80

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STW11NB80
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Especificaciones:	STW11NB80.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	21878 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21878 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

600 pcs: $1.475

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Especificaciones de STW11NB80

Número de pieza	STW11NB80	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	21878 pcs	Ficha de datos	STW11NB80.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247-3
Serie	PowerMESH™	RDS (Max) @Id, Vgs	800 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	190W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	497-2789-5
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	70nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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