STU6N62K3

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STU6N62K3
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
Especificaciones:	STU6N62K3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	43229 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43229 pcs

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Especificaciones de STU6N62K3

Número de pieza	STU6N62K3	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	43229 pcs	Ficha de datos	STU6N62K3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	SuperMESH3™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	90W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Otros nombres	497-12699-5 STU6N62K3-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	875pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	620V
Descripción detallada	N-Channel 620V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Tc)

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