STS10P4LLF6

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STS10P4LLF6
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Especificaciones:	STS10P4LLF6.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	162234 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 162234 pcs

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2500 pcs: $0.205

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Especificaciones de STS10P4LLF6

Número de pieza	STS10P4LLF6	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	162234 pcs	Ficha de datos	STS10P4LLF6.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA (Min)	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	STripFET™ F6	RDS (Max) @Id, Vgs	15 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.7W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	497-15483-2
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3525pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	34nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	P-Channel 40V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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