STP185N55F3

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP185N55F3
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
Especificaciones:	STP185N55F3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	14427 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14427 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.613

50 pcs: $2.099

100 pcs: $1.913

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Especificaciones de STP185N55F3

Número de pieza	STP185N55F3	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 55V 120A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	14427 pcs	Ficha de datos	STP185N55F3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	STripFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	3.8 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)	330W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-7513-5 STP185N55F3-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	100nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	55V
Descripción detallada	N-Channel 55V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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